作者：电子创新网张国斌
巴黎第一大学教授埃马纽埃尔·孔博近日发表文章，他表示，中国正在光刻机领域逐步缩小与全球领先水平的差距，若美国继续对华制裁，欧美将是这场竞争的最大输家。
孔博指出，限制一个国家获取尖端技术，可能产生与初衷相反的效果。欧洲企业会逐步流失中国市场份额，美国出口管制短期放慢中国技术发展，同时倒逼中国自主研发高端设备、完善产业链。
孔博以历史作对比。冷战时期，苏联因巴黎统筹委员会禁令无法采购西方先进计算机，电子工业长期落后，中国却走出不同路径。
他说中国企业通过采购DUV光刻机用多重图案化技术制造7nm芯片，只是代价是良率低、成本高，但至少能跑通。随着美国对DUV实施更严厉限制，中国芯片产业只剩下自研光刻机一条路可走。
孔博认为，短期看，国产设备尚难撼动ASML，仅2025年ASML就交付131台DUV光刻机，其设备生态也已十分成熟。长期来看，若欧美持续封锁，中国企业将用自主设备保障产业链稳定，海外厂商也会失去大量中国客户。
目前，中国自研光刻机正处于一个“关键突破期”，已确认的官方进展：成熟制程实现突破，最明确的信号来自2024年9月工信部公布的信息，一款国产深紫外（DUV）光刻机的关键指标首次公开：分辨率65nm，套刻精度8nm。这意味着在成熟工艺（如90nm、65nm芯片制造）领域，我们已经有了能“上台面”的国产设备。
不过需要注意的是，这并非当前最先进的EUV光刻机，目前在先进光刻机方便已经实现了多点突破：
核心部件突破：浙江大学团队在2026年4月发布了桌面式高亮极紫外光源，为检测EUV光刻用的“模具”（掩模版）提供了核心技术。他们还研发了万通道3D纳米激光直写光刻机，加工精度可达亚30纳米，用于制造高端掩模版，相当于有了制造芯片“模具”的“快手”。这标志着我们在极紫外（EUV）相关技术上有了底层创新，解决了“从0到1”的难题。
细分领域整机落地：多款面向特定市场的国产光刻机已成功出厂。例如，深圳的稳顶聚芯交付了首台高精度步进式光刻机，分辨率达100nm，主要用于化合物半导体（如mini/Micro LED）领域。常熟的芯东来半导体也成功研发并出货了首台i线光刻机，主攻0.5μm至65nm的成熟制程市场。
直写光刻设备商业化：源自浙大技术的杭州玉之泉，其双光子三维激光直写光刻系统可实现50nm特征尺寸加工，相关产品已亮相国际展会，走向市场。
尽管好消息不断，但光刻机毕竟是全球顶尖技术的集大成者，挑战依然巨大：商业量产与全球供应链差距：从实验室突破到稳定的商业化量产，仍有很长的路要走。目前国产设备在性能、稳定性和产能上，与荷兰ASML等行业巨头还存在明显差距。
美国兰德公司在2026年7月的报告中预测，中国在2026年量产商业级DUV光刻机的概率约为25%，而在2030年量产EUV光刻机的概率仅为10%（专家评估结果）。这反映出外部对核心技术壁垒和时间成本的担忧。
总的来说，中国自研光刻机已经不再是一张白纸。我们在核心部件和一些细分领域取得了国际领先的突破，并在成熟制程光刻机上有了明确的官方成果。但从“能造”到“造得好且便宜”，再到全面追赶世界最顶尖水平，依然是一场需要耐心和巨大投入的持久战。
不过，这位法国教授说的对，一旦中国光刻机研发成功，就是欧美相关市场灾难级衰退，前几天的小作文已经让华尔街心惊肉跳了，其实，针对老美总给我们大A发利空消息，我们也应该时不时给华尔街发点本土装备突破的好消息！让他们也震惊一下，大家说是吧！同意的转起来！（根据网络信息编辑）
