英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC™ 650 V G2系列MOSFET,适用于具备高功率密度需求的中功率应用场景

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY宣布扩展其 CoolSiC 650 V G2 系列 MOSFET产品组合,新增 75 mΩ 规格型号,以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列器件提供多种封装选择,包括 TOLLThinTOLL 8x8TOLTD2PAKTO247-3 TO247-4。得益于此,该产品组合可同时支持顶部冷却(TSC)与底部冷却(BSC)两种散热方案,为研发人员的设计提供了高度灵活性。此类器件非常适用于中高功率等级的开关模式电源(SMPS),可广泛应用于多个领域,包括AI服务器、可再生能源系统、电动汽车及电动汽车充电桩、人形机器人充电、电视机以及各类驱动系统。

配图:CoolSiC™ MOSFET 650 V G2(TOLT封装版).jpg

CoolSiC MOSFET 650 V G2TOLT封装版

CoolSiC 650 V G2 系列 MOSFET 是基于第二代(G2CoolSiC 技术打造的。相较于上一代产品,其品质因数更优、可靠性更高,且易用性显著提升。不同封装类型各具优势:TOLL ThinTOLL 8x8 封装在印刷电路板(PCB)上具备出色的热循环稳定性,有助于实现紧凑的系统设计。应用于SMPS时,这类封装可减少 PCB 的空间占用,并在系统层面降低制造成本。目前,TOLL ThinTOLL 8x8 封装的目标应用范围已进一步扩大,能帮助 PCB 设计人员应对成本降低的挑战。TOLT 封装的加入进一步强化了英飞凌不断壮大的TSC产品组合 —— 该组合目前已涵盖 CoolMOS 8CoolSiC™、CoolGaN™及 Optimos™系列产品。采用 TSC 设计的器件其直接散热效率可实现高达 95%,且允许设计人员充分利用 PCB 的正反两面,既能提升了空间利用率,又能减少寄生效应。

供货情况

CoolSiC 650 V G2 系列 75 mΩ 规格的 MOSFET 目前已正式发售,提供 TOLLThinTOLL 8x8TOLTD2PAKTO247-3 TO247-4 多种封装类型。了解更多信息,敬请访问www.infineon.com/coolsic-650v

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,060名员工(截至20249月底),在2024财年(截至930日)的营收约为150亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。

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英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自199510月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术应用支持、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。