大联大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP51561高压隔离驱动器的高频小型化工业电源方案。
图示1-大联大世平基于onsemi产品的高频小型化工业电源方案的展示板图
在“双碳”话题愈演愈烈的当下，以GaN氮化镓/SiC碳化硅为材料的功率半导体器件进入了加速发展车道。GaN和SiC被称为“宽带隙半导体(WBG)”，具备耐高温、耐高压、高频率、大功率、抗辐射等优异特性，可以帮助产品实现更高的开关效率。据业内人士介绍，GaN是最接近理想的半导体开关器件，能够以非常高的效能和高功率密度来实现电源转换，轻松满足服务器和云端数据中心最严格的80+规范或USB PD外部适配器的欧盟行为准则Tier 2标准。基于此背景，大联大世平推出基于onsemi NCP51561的高频小型化工业电源方案。
图示2-大联大世平基于onsemi产品的高频小型化工业电源方案的场景应用图
NCP51561是onsemi推出的一款高压隔离型双通道门极驱动器，具有4.5A源电流和9A灌电流峰值能力。该新器件适用于硅功率MOSFET和基于SiC的MOSFET器件的快速开关，提供短且匹配的传播延迟。
图示3-大联大世平基于onsemi产品的高频小型化工业电源方案的方块图
此外，NCP51561还具有两个独立的5kVRMS（UL1577级）电隔离门极驱动器通道，可用作两个下桥、两个上桥开关或一个半桥驱动器，具备可编程的死区时间。不仅如此，器件的一个使能引脚能同时关断两个输出，且NCP51561提供其他重要的保护功能，如用于两个门极驱动器的独立欠压锁定（UVLO）和使能功能。得益于这些出色的功能，可有效提高小型化工业电源的能源转换效率。
核心技术优势：
两个输出驱动器拥有独立UVLO保护；
输出电压为6.5V至30V，具有5V、8V和17V UVLO阈值；
4A峰值电流源，8A峰值电流吸收；
150V/ns dV/dt抗扰度；
36 ns典型传递延迟；
8 ns最大延迟匹配；
可编程输入逻辑；
通过ANB的单或双输入模式；
可编程死区时间；
Enable功能；
隔离与安全：
从输入到每个输出的5kVRMS电流隔离和输出通道之间的1200V峰值差分电压；
1200V工作电压（根据VDE0884−11要求）。
方案规格：
双低侧、双高侧或半桥驱动器；
输出电源电压为6.5V至30V，具有5V、8V和17V UVLO阈值；
4A峰值电流源，8A峰值电流吸收。
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关于大联大控股：
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