英飞凌推出全新 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管,进一步提高效率

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2021223慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司 FSEIFX/OTCQXIFNNY 推出 650 V 关断电压的 CoolSiC Hybrid IGBT 单管。新款 CoolSiC Hybrid IGBT 结合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBTCoolSiC肖特基势垒二极管的主要优点具有出色的开关频率和更低的开关损耗特别适用于 DC-DC 和功率因数校正 PFC。其常见应用包括:电池充电基础设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源 UPS,以及服务器和电信开关电源SMPS

由于 IGBT反并联SiC 肖特基势垒二极管,在 dv/dt  di/dt 值几乎不变下,CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。与标准的Si二极管解决方案相比新产品可降低多达60%Eon30%Eoff。也可在输出功率保持不变下,开关频率提高至少 40%。较高的开关频率有助于减小无源器件的尺寸,进而降低物料成本。该 Hybrid IGBT 可直接替代 TRENCHSTOP 5 IGBT,无需重新设计,便能使每10 kHz开关频率提升 0.1% 的效率。

此产品系列可作为全Si解决方案和高效能 SiC MOSFET 设计之间的衔接,与全Si设计相比,HybridIGBT可提升电磁兼容性和系统可靠性。由于SiC肖特基势垒二极管的单极性特性,使二极管能快速开关,而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。此系列提供 TO-247-3 TO-247-4 脚的 Kelvin Emitter 封装供客户选择。Kelvin Emitter 封装的第四引脚可实现超低电感的栅极发射极控制回路,并降低总开关损耗。

供货情况

CoolSiC Hybrid IGBT 单管延续之前采用 IGBT  CoolSiC™肖特基势垒二极管的 CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK 1B  2B 模块的成功经验。此单管产品组合即日起接受订购。产品组合包含反并联半电流CoolSiC™第 6 SiC二极管的 40A50A  75A 650 V TRENCHSTOP超高速 H5 IGBT,或反并联全电流 CoolSiC™第 6 SiC二极管的快速 S5 IGBT。详细信息敬请访问www.infineon.com/coolsic- hybrid-discretes

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英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司,我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年(截止930日),公司的销售额达85亿欧元,在全球范围内拥有约46,700名员工。20204月,英飞凌正式完成了对赛普拉斯半导体公司的收购,成功跻身全球十大半导体制造商之一。

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