Transphorm

Transphorm 最新技术白皮书: 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比

氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally-Off D-Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势,而E-Mode设计却必须在性能上做出妥协


Transphorm氮化镓器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首个全集成化微型逆变器光伏系统

使用更为先进的 Transphorm氮化镓器件,使突破性的太阳能电池板系统外形更小、更轻,且拥有更高的性能和效率。


Transphorm公司的TOLL FET将GaN定位为适用于耗电型AI应用的最佳器件

三种新器件为基于SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常关D模式平台优势,该系统要求在紧凑的占地面积内以较低的热阻获得更高的可靠性及性能


Transphorm氮化镓器件率先达到对电机驱动应用至关重要的抗短路稳健性里程碑

与安川电机公司合作取得的这项成果,充分利用了 Transphorm 常关型平台的基本优势。


Transphorm的GaN为DAH Solar Co., Ltd.的全球首个集成微型逆变器光伏系统提供动力

开创性的太阳能电池板系统通过使用Transphorm极其先进的GaN设备,以更小、更轻的外形尺寸提供更高的性能和效率


Transphorm的GaN首次达到对电机驱动应用至关重要的短路稳健性里程碑

Capability与Yaskawa Electric Corporation合作,充分发挥Transphorm常关平台的根本优势


Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驱动器解决方案

Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99% 的效率,验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案

Transphorm宣布推出低成本的SuperGaN FET驱动器解决方案

Transphorm FET利用简单的半桥门驱动器实现高达99%的效率,验证了在超过一千瓦的宽广功率范围内具有成本效益的设计方案


Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

该器件已准备就绪:为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统

Transphorm获得National Security Technology Accelerator价值1500万美元的合同

ECLIPSE项目旨在建立先进氮化镓外延片材料的生产和供应机制;标志着Transphorm在技术开发方面再次获得政府合同