Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件，针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线
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瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容
增强瑞萨宽禁带专业知识和产品路线图发展，以应对电动汽车、数据中心、人工智能电源以及可再生能源快速增长的市场机遇
Transphorm与伟诠电子合作推出氮化镓系统级封装器件，支持多功率等级，为客户创造竞争优势
Weltrend新参考设计表明，拥有成本优势的SuperGaN SiP IC，适用于65瓦和100瓦适配器 ，为客户带来规模经济以及无与伦比的氮化镓稳健性
Transphorm发布两款应用于两轮和三轮电动车电池充电器的参考设计
新设计工具有助于加速两轮电动车市场的产品设计，并帮助系统工程师充分利用SuperGaN FET的优势
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能
专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再生能源和电动汽车领域的应用
Transphorm发布两种适用于两轮和三轮电动车辆的电池充电器参考设计
新设计工具可加速两轮车辆市场设计导入发展，帮助系统工程师发挥SuperGaN场效应管的优势
Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能
新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合
Transphorm和Allegro MicroSystems联手，提高GaN功率系统在高功率应用中的性能
专用隔离式栅极驱动器推动数据中心、可再生能源和电动汽车领域快速采用先进的GaN半导体
Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件
三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型(Normally-Off D-Mode)平台优势，此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比
氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally-Off D-Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势，而E-Mode设计却必须在性能上做出妥协