航天级可编程逻辑器件（FPGA）需要包含其引导配置的可靠的高容量非易失性存储器。为满足对高可靠性存储器日益增长的需求，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）旗下的Infineon Technologies LLC近日宣布推出业界首款高容量抗辐射（RadTol）NOR闪存产品，该产品通过了MIL-PRF-38535 QML-V流程认证。QML-V流程是航天级IC的最高质量和可靠性标准认证。
英飞凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存储器可带来出色的低引脚数单芯片解决方案，适用于FPGA配置、图像存储、微控制器数据和引导代码存储等应用场合。在更高时钟速率下使用时，器件支持的数据传输可媲美或超越传统的并行异步NOR闪存，同时显著减少引脚数。这款器件的抗辐射性能高达30 krad（Si）偏置和125 krad（Si）无偏置。在125°C时，这款器件耐久性达到1000次编程/擦除周期，数据保留期限为30年，在85°C时可达到1万次编程/擦除周期，数据保留期限为250年。
作为航天级存储器产品的领导者，英飞凌利用65 nm浮栅闪存工艺技术开发出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。二者都具有133 MHz SDR接口速度。512 Mb器件包括两个独立的256 Mb裸片，它们采用单个封装解决方案并排装配。这样，设计人员可以灵活地在任一裸片上以双QSPI或单QSPI模式独立运行器件，从而为其提供使用第二个裸片作为备份解决方案的选项。英飞凌正与赛灵思等领先的FPGA生态系统公司就航天级应用展开密切合作。
Infineon Technologies LLC航空航天与国防业务副总裁Helmut Puchner表示：“我们的抗辐射双QSPI非易失性存储器获得最新航天级FPGA的全面支持。它们可以带来出色的低引脚数单芯片解决方案来配置处理器和FPGA。譬如，Xilinx Kintex® UltraScale™ XQRKU060的整个图像可以在Dual Quad模式下在大约 0.2 秒内加载。”
供货情况
RadTol NOR闪存器件采用24x12 mm2 36引脚陶瓷扁平封装, 可通过FPGA或通过独立编程器进行编程。这款器件支持-55°C至125°C的温度等级，SEU率 < 1 x 10-16次翻转/位-天，SEL > 60 MeV.cm2/mg（85°C），SEFI > 60 MeV.cm2/mg（LET），SEU阈值> 28 Mev.cm2/mg（LET）。英飞凌的开发套件和软件可进一步实现简便设计，如欲了解更多信息，敬请访问：www.cypress.com/products/radiation-hardened-memory。
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年（截止9月30日），公司的销售额达85亿欧元，在全球范围内拥有约46,700名员工。2020年4月，英飞凌正式完成了对赛普拉斯半导体公司的收购，成功跻身全球十大半导体制造商之一。
英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。更多信息，请访问www.infineon.com
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英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约2000名员工，已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
