Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗
半桥器件采用Trench IGBT技术,可选低VCE(ON)或低Eoff,适用于大电流逆变级
半桥器件采用Trench IGBT技术,可选低VCE(ON)或低Eoff,适用于大电流逆变级
利用嵌入了功率元器件的电路仿真工具,提高设计的便利性
近期,在DKSH(大昌华嘉)中国科技事业部担任半导体和电子业务线总经理的Damien Teo分享其行业观点,探讨了IGBT在电动汽车行业的重要作用。绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种具有三个端子的半导体开关器件。其快速开关能力和高效率使其适用于范围广泛的电子设备。
为功率电子设计人员提供带有全额快速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。
近日,浙江晶能微电子有限公司宣布,其自主设计研发的首款车规级IGBT产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。此次突破标志着晶能在IGBT技术上迈出一个“芯”的里程碑,为后续更多功率芯片的研制打下基础。
东芝电子元件及存储装置株式会社宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路[1]的650V分立IGBT---“GT30J65MRB”。该产品于今日开始支持批量出货。
搭配电动车市场的快速成长,近年环旭电子开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试,近期获得相当多欧美与日系客户青睐,