SiC

SiC是碳化硅（Silicon Carbide）的缩写，是一种广泛用于半导体和电子设备制造的材料。

SiC 市场的下一个爆点：共源共栅（cascode）结构详解
安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，本文将重点介绍Cascode结构。
【原创】重磅！全球SiC巨头 Wolfspeed 申请破产！
据多家媒体报道，全球最大的SiC衬底制造商之一碳化硅（SiC）功率器件巨头Wolfspeed公司正计划在未来数周内申请破产保护，主要原因是Wolfspeed目前面临巨大的债务压力，其总债务高达65亿美元，其中包括阿波罗全球管理公司持有的15亿美元优先担保贷款。
中恒微推出Drive ED3封装SiC功率模块
中恒微推出Drive ED3 （EconoDUAL™ 3）封装的SiC功率模块，使用平面栅（planer gate）SiC MOSFET芯片技术，在高温下具有优异的RDS（ON）表现，标准封装具有良好的适配性。
英飞凌SiC超结技术树立新标准，加速电动汽车普及与工业效率提升
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越性能与高可靠性相结合的解决方案引领行业。
英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术，实现更加智能、快速的固态配电
为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。
ROHM推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化！
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。
新品 | SiC主驱模块推进华润微深入融合新能源汽车领域
基于公司成熟量产的第二代车规SiC MOS平台，华润微电子功率器件事业群（以下简称PDBG）推出了1200V 450A/600A的半桥DCM和全桥HPD共四款主驱模块。
至信微电子推出3300V 8Ω 系列产品
正向电阻温漂特性出色，电磁优化设计
新品| SiC主驱模块推进华润微深入融合新能源汽车领域
基于公司成熟量产的第二代车规SiC MOS平台，华润微电子功率器件事业群（以下简称PDBG）推出了1200V 450A/600A的半桥DCM和全桥HPD共四款主驱模块。
瞻芯电子推出2000V SiC 4相升压模块，3B封装提升系统功率密度
瞻芯电子正式推出3B封装的2000V 碳化硅(SiC) 4相升压功率模块产品(IV3B20023BA2)，为光伏等领域提供了高电压、高功率密度的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试，并在光伏客户导入验证。