东芝

东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。
助力AI服务器与数据中心能效升级，大联大诠鼎携手东芝解读高效率电源转换方案
大联大控股旗下诠鼎集团宣布，携手全球功率半导体领导厂商东芝（Toshiba）成功举办“东芝高效率电源转换与功率组件应用”线上研讨会。
东芝推出面向工业设备、最高工作温度达125°C的四通道高速标准数字隔离器
助力实现稳定的高速隔离信号传输
东芝开始提供适用于系统控制应用、搭载Arm® Cortex® M4内核的TXZ+™族入门级M4H组标准微控制器工程样品
支持消费类产品和工业设备各种系统控制应用的标准微控制器
东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。
东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD™系列IC样品
集成3相直流无刷电机驱动电路与微控制器，实现小型车载电机的直接驱动
东芝发布支持PCIe6.0与USB42.0版等高速差分信号的2：1多路复用器／1：2解复用器开关
适用于工作温度高达125°C的工业应用
东芝开始提供集成微控制器与电机驱动电路的新一代“SmartMCD™”系列产品的工程样品
适用于3相直流无刷电机的低速无感控制技术
东芝推出用于车载设备的光伏输出光耦
采用具有长爬电距离和高隔离电压的薄型封装
东芝推出适用于高温环境工作的小型光继电器，最高额定工作温度达135°C
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出四款采用小型S-VSON4T封装的电压驱动型光继电器——“TLP3407SRB”、“TLP3412SRB”、“TLP3412SRHB”和“TLP3412SRLB”。