V-NAND

三星首批面向AI时代的QLC第九代V-NAND启动量产
三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术，其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数
三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产
近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
三星开始量产第8代V-NAND，存储密度高达1Tb
三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度，可更高效地为企业扩展存储空间