三星首批面向AI时代的QLC第九代V-NAND启动量产 winniewei / 周四, 12 九月 2024 - 10:18 三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术，其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数 阅读更多 关于 三星首批面向AI时代的QLC第九代V-NAND启动量产登录或注册以发表评论
三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产 winniewei / 周二, 23 四月 2024 - 10:25 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。 阅读更多 关于 三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产登录或注册以发表评论
三星开始量产第8代V-NAND，存储密度高达1Tb winniewei / 周二, 8 十一月 2022 - 11:20 三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度，可更高效地为企业扩展存储空间 阅读更多 关于 三星开始量产第8代V-NAND，存储密度高达1Tb登录或注册以发表评论