Vishay推出先进的30 V N沟道MOSFET,进一步提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效 winniewei / 周二, 25 五月 2021 - 10:36 日前,Vishay Intertechnology, Inc. 推出多功能新型30 V n沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 阅读更多 关于 Vishay推出先进的30 V N沟道MOSFET,进一步提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效登录或注册以发表评论