Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能 winniewei / 周三, 20 十一月 2024 - 14:06 TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装，RthJC低至0.45 C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度 阅读更多 关于 Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能登录 发表评论
