SiC MOSFET

芯联集成推出3300V SiC MOSFET 为固态变压器"减负降本"
芯联集成（688469.SH）日前宣布，依托自研8英寸碳化硅（SiC）工艺平台，公司正式推出3300V SiC MOSFET器件。该产品面向固态变压器（SST）等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制，目前已向核心客户送样验证。
碳化硅赋能浪潮教程：替代Si和SiC MOSFET的方案
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。
罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。
ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。 
体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。
搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产
全球知名半导体制造商罗姆与德国大型汽车零部件供应商舍弗勒集团宣布，作为战略合作伙伴关系的重要里程碑，舍弗勒开始量产搭载罗姆SiC（碳化硅）MOSFET裸芯片的新型高电压逆变砖。这是面向中国大型汽车制造商设计的产品。
SiC MOSFET 界面陷阱检测升级：Force-I QSCV 方法详解
本文介绍了Force-I QSCV技术， 解释了如何在Clarius软件中使用这些测试，将该技术与其他方法进行了比较，验证了 Force-I QSCV 在测量速度、稳定性、精度及设备需求方面的显著优势。
罗姆的SiC MOSFET应用于丰田全新纯电车型“bZ5”
应用于牵引逆变器，助力续航里程和性能提升
东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度
SiC MOSFET 如何提高 AI 数据中心的电源转换能效
如今所有东西都存储在云端，但云究竟在哪里？