南芯科技推出内置MOS管的高集成度升降压充电芯片 winniewei / 周五, 21 三月 2025 - 16:59 今日,南芯科技宣布推出全集成同步双向升降压充电芯片 SC8911,该芯片配备 I2C 接口,专为常见的 2 串电池 30W 充电宝应用进行了效率优化,可有效降低外壳温升,为用户提供更安全、更高效的充电体验。 阅读更多 关于 南芯科技推出内置MOS管的高集成度升降压充电芯片登录或注册以发表评论