SBD

采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的V_F和I_R相比以往产品得到显著改善

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。

汽车电气化浪潮正席卷全球，电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅（SiC）等创新电源技术。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）功率器件，为电动汽车（EV）系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案，同时支持丰富的电压、电流和封装选项。