ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列” winniewei / 周四, 8 七月 2021 - 16:13 ROHM(总部位于日本京都市)开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),且均符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”。 阅读更多 关于 ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”登录 发表评论