瑞萨电子推出新型栅极驱动IC，用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET winniewei / 周一, 30 一月 2023 - 14:55 全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms 阅读更多 关于 瑞萨电子推出新型栅极驱动IC，用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET登录 发表评论