GaN HEMT

本视频将向您介绍英飞凌CoolGaN™氮化镓HEMT的内容。

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<strong><font color="#FF0000">作者： Steven Keeping， 贸泽电子</font> </strong>

<strong>电机设计中对于GaN HEMT的使用</strong>

GaN HEMT的电气特性使得工程师们选择它来设计更加紧凑、承受高压和高频的电动机，综上所述这类器件有如下优点：

<strong><font color="#FF0000">作者： Steven Keeping， 贸泽电子</font> </strong>

对于紧凑型且性能强大的电动机的强烈需求给设计工程师带来了新的挑战，为了最大限度的提高小型电动机的输出功率，工程师们正考虑采用高压和高频的方式，MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极型晶体管)—传统开关逆变器（现代电动机控制的关键元件）的基础—正在努力满足这方面的需求。然而功率密度和击穿电压阈值有限，这就限制了驱动电压，高频操作的快速开关会增加功率损耗，造成的结果是效率低下，发热严重。

GaN HEMT(氮化镓晶体管)可以替代高压高频电动机应用中的MOSFET和IGBT器件，这类参数比较宽的半导体器件为大功率密度电动机开辟了新的应用领域，它们可以处理更高的电压、电流、温度和开关频率，而且功率损耗要比硅晶体管低得多，集成GaN HEMT和驱动逆变器的高功率密度电动机的商业应用也正在推动更多新技术的发展。

GaN HEMT逆变器采用了新一代陶瓷电容器，它能够承受高压峰值和浪涌，这些电压峰值浪涌可能会使传统的直流组件承受过大的压力而损坏，这些元件是高功率电动机所必须的。