CoolSiC

英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效
英飞凌科技股份公司发布了一项全新的CoolSiC™技术，即CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合。
绿色出行：英飞凌CoolSiC™功率模块可将有轨电车的能耗降低10%
英飞凌科技股份公司即将推出采用XHP™ 2封装的CoolSiC™ MOSFET和.XT技术的功率半导体，这款专门定制的解决方案旨在满足轨道交通市场的需求。
英飞凌推出新型车用650 V CoolSiC™混合分立器件助力快速开关车载充电器应用实现性能提升
英飞凌科技股份公司推出车用650 V CoolSiC™混合分立器件。该器件包含一个50 A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。