CoolSiC

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。

近日，英飞凌科技股份公司的CoolSiC MOSFET和CoolSiC二极管被总部位于加利福尼亚州的布鲁姆能源公司（Bloom Energy）选中，用于其燃料电池产品布鲁姆能源服务器（Bloom’s Energy Server）以及布鲁姆电解系统（Bloom Electrolyzer）中的功率变换。

英飞凌科技股份公司的CoolSiC™产品被总部位于台湾的全球领先的电源管理及散热解决方案提供商台达电子选用，使得台达电子向着利用绿色电力实现能源转型和碳中和的目标迈出了一大步。

英飞凌科技股份公司发布了一项全新的CoolSiC™技术，即CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合。

英飞凌科技股份公司即将推出采用XHP™ 2封装的CoolSiC™ MOSFET和.XT技术的功率半导体，这款专门定制的解决方案旨在满足轨道交通市场的需求。

英飞凌科技股份公司推出车用650 V CoolSiC™混合分立器件。该器件包含一个50 A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。