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本文为 CJFET 用于高频零电压开关（ZVS）应用提供了系统级设计指导。并展示了在初级侧器件两端并联电容缓冲电路（C-snubber）是控制 dv/dt 并降低开关损耗的简便有效方法，同时量化分析了如何对励磁电流或死区时间进行权衡。实测数据表明，在采用 CJFET 的大电流 LLC 设计中，并联 C-snubber 能够有效提升系统效率。