ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产 winniewei / 周二, 27 五月 2025 - 14:59 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。 阅读更多 关于 ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产登录或注册以发表评论