ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！ winniewei / 周三, 19 七月 2023 - 14:23 通过替换现有的Si MOSFET，可将器件体积减少约99%，功率损耗减少约55% 阅读更多 关于 ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！登录或注册以发表评论