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3D-NAND

干货 | 高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图

winniewei /
随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展,泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战,以经济的成本为晶圆厂提供解决方案。