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铠侠开发NIL半导体工艺 无需EUV光刻机制程直奔5nm
在半导体工艺进入10nm节点之后，EUV工艺是少不了的，但是EUV光刻机价格高达10亿一台，而且产量有限，导致芯片生产成本很高。日本铠侠公司现在联合伙伴开发了新的工艺，可以不使用EUV光刻机，工艺直达5nm。
铠侠推出PCIe® 4.0 SCM SSD (Storage Class Memory SSD)
铠侠株式会社即将推出低延迟、高耐久性的SCM NVMe™ SSD。作为全球领先的存储器解决方案提供商，铠侠已经开始提供FL6系列企业级NVMe SCM SSD的样品。
铠侠推出新型3.1版UFS嵌入式闪存设备，突破性能界限
全球存储器解决方案领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)宣布推出新一代256GB和512GB通用闪存(UFS) 3.1版嵌入式闪存设备的样品。新产品封装高度分别为0.8和1.0毫米，随机读取性能提高约30%，随机写入性能提高约40%，相比前代产品更轻薄、速度更快。
面向新一代主流PC，铠侠宣布推出新型消费级固态硬盘
存储解决方案的全球领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)，于今日宣布推出两款新型固态硬盘（SSD）系列产品，并计划于2021年第四季度上市。
铠侠人工智能项目荣获日本人工智能学会2020年行业创新奖银奖
铠侠株式会社(Kioxia Corporation)宣布，该公司凭借其TEZUKA 2020项目荣获日本人工智能学会(JSAI)颁发的2020年行业创新奖银奖(2020 Field Innovation Award Silver Prize)。TEZUKA 2020项目让人工智能(AI)和人类有机会通力合作，创造出拥有与日本漫画界传奇人物手冢治虫(Osamu Tezuka)几乎同样艺术风格的新漫画或漫画书。
铠侠在日本“全国发明表彰计划”中荣获2021年发明奖
铠侠株式会社(Kioxia Corporation)宣布，其半导体闪存寿命延长技术（专利号4461170）获得了日本“全国发明表彰计划”(National Commendation for Invention)的2021年“发明奖”(Invention Prize)。
铠侠宣布投资200亿日元 扩建横滨技术园区
全球存储解决方案领导者铠侠（Kioxia Corporation）刚刚宣布 —— 该公司将投资 200 亿日元，以扩展其位于横滨技术园区的开发大楼、并建立新的 Shin-Koyasu 高级研究中心。
铠侠CM6系列PCIe 4.0 SSD已获英伟达Magnum IO GPU直连存储认证
最新消息是，铠侠（Kioxia）旗下的 CM6 系列企业级 PCIe 4.0 NVMe SSD，刚刚通过了英伟达的严格测试。
铠侠开始在四日市厂区建设新制造厂以支持第六代3D闪存生产
全球存储器解决方案的领导者铠侠株式会社 (Kioxia Corporation)在日本三重县四日市厂区为其先进的半导体制造厂(Fab7)举行了奠基仪式。该工厂将成为全球一流的制造运营工厂之一，专门生产其专有的BiCS FLASHTM 3D闪存。
铠侠最新NVMe™ SSD目前可用于Supermicro PCIe® 4.0服务器和存储平台
向PCIe® 4.0的过渡已经全面展开，而存储器解决方案的全球领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)正在引领这一进程。