英飞凌

全球功率系统领域的领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正向构建新的市场格局迈出又一决定性的一步——英飞凌将大幅扩建居林晶圆厂，在2022年2月宣布的原始投资基础之上，打造全球最大的200毫米碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂。

近日，英飞凌科技股份公司进一步扩展其EXCELON™ F-RAM存储器产品，推出两款分别具有1Mbit和4Mbit存储密度的新型F-RAM存储器。全新1Mbit EXCELON™ F-RAM是业内首款车规级串行F-RAM存储器。

由于继电器和保险丝无法满足现代化E/E汽车架构的要求，因此必须考虑实现一次配电和二次配电的部分电气化或全电气化。为了解决这一问题，英飞凌科技股份公司推出采用TO无铅封装的新一代超低电阻高边开关家族系列Power PROFET™ + 12V。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与赛米控丹佛斯签署了一份多年批量供应硅基电动汽车芯片的协议。英飞凌将为赛米控丹佛斯供应由IGBT和二极管组成的芯片组。这些芯片主要应用于电动汽车主驱逆变器功率模块。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）和Teledyne e2v（NYSE代码：TDY）联合开发了一款计算密集型航天系统的参考设计。

英飞凌科技股份公司推出搭载1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。

2023财年第三季度：营收达到40.89亿欧元，利润达到10.67亿欧元，利润率为26.1%

英飞凌科技股份公司近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm²封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。

为了满足市场对稳健高压隔离产品日益增长的需求，英飞凌科技股份公司推出了第一代ISOFACE™双通道数字隔离器，这款新器件能够与其他供应商的产品组合实现引脚兼容。

为满足新一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结（SJ）MOSFET 的产品阵容。