Power Integrations 推出业界全新 2200V PowiGaN™ 氮化镓 (GaN) 技术，持续引领氮化镓技术的进一步发展。这一突破远超目前市场上所有其他商业化氮化镓技术的电压极限，可为 AI 数据中心、电动汽车、光伏及高压直流输电基础设施提供更高的功率密度及更高的效率，打造更安全、更简化的系统架构。共源共栅开关结构（高压耗尽型氮化镓 HEMT 搭配低压硅 MOSFET）在提升性能与可靠性的同时，简化了系统复杂度。
业界全新 2200V PowiGaN™ 技术实现了更高的功率密度与更高的效率，同时打造更安全、更简化的系统架构。
1700V PowiGaN IC 已应用于单级变换的数据中心辅助电源设计；同时，相较于传统的堆叠式氮化镓架构，1250V PowiGaN 为 800V直流数据中心的主功率路径提供了更为简化的解决方案。2200V PowiGaN 技术的推出意味着可以支持更高的母线电压，这将把氮化镓的应用范围拓宽至传统上由碳化硅主导的领域，同时为光伏、高压直流输电以及高端工业功率变换等应用提供更高频率（更小体积）的替代方案。
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