湖南静芯宣布推出全新产品SEUCS2X5V1U。SEUCS2X5V1U是一款工作电压为5V的超低电容深回扫型单向ESD保护器件，专门设计用于保护连接到数据传输线的敏感电子元件，使之免受ESD(静电放电)引起的过压而损坏。根据IEC61000-4-2和IEC610000-4-5规范，SEUCS2X5V1U可用于提供高达±20kV(接触放电) 和±20kV(空气放电)的ESD保护，可承受高达7A(8/20us)的峰值脉冲电流，支持pin-to-pin替代PESD5V0C1USFYL等市场内常见单向深回扫防护器件。
深回扫型ESD介绍
回扫特性ESD防护器件具有超小封装体积、超低钳位电压、超低结电容特性，相比常规工艺 TVS 防护效果更优，且不影响信号完整性，可更有效保护高速数据接口免受瞬态过电压的影响，为相关电子产品设备加固防护，提升消费者使用体验。
常规型ESD的电压会随着IPP（峰值脉冲电流）的增加而等比例增加，呈现出一个较为线性的增长趋势。而深回扫型ESD器件在当电压达到VT（触发电压）后会瞬间将两端的钳位电压拉低，进入一个小于工作电压VRWM的较低电压VHOLD,之后随着电流的增加电压逐渐增大。
其相较于常规ESD器件的优点有：
1.更低的钳位电压：在相同的IPP下，带回扫ESD的VC（钳位电压）比常规ESD器件低30%以上。
2.更低的漏电流：这类ESD器件具有更低的漏电流，有助于降低设备的功耗，实现更节能的设计。
3.更深的应用范围：带回扫ESD的优异性能使其适用于更深的领域，如低压移动电子设备、汽车电子、工业控制等对ESD保护要求较高的场合。
图1 ESD特性曲线图对比
通过对比常规ESD和带回扫ESD的特性曲线图及其优点，可以看出带回扫ESD在ESD保护方面具有更出色的性能和应用前景。
SEUCS2X5V1U介绍
SEUCS2X5V1U是湖南静芯研发的一款工作电压最大值为5V的超低电容深回扫型单向ESD静电保护器件，专门设计用于保护高速数据接口免受过应力事件的影响。其钳位电压为3V，具有0.42pF的极低电容，可确保信号完整性，且器件采用超小型DFN0603-2L封装，可极大节省电路板空间。根据IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，SEUCS2X5V1U可用于提供高达±20kV(接触放电)，±20kV(空气放电)的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达7A(8/20μs)的峰值脉冲电流。
随着超高速通信的需求日益增长，芯片组尺寸越来越小，对于瞬态电压的耐受度也随之降低，这增加了对ESD 保护二极管的需求。一个兼具高IPP和低VCL的器件，通常可以替代以往需要多个器件或更复杂电路才能实现的保护等级，节省板内空间降低成本。单向ESD器件的核心优势在于为单极性信号提供更优、更精准的保护，且比起双向器件能提供更好的负向钳位性能。
该器件的相关曲线图及参数如下所示。
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| IV曲线 | 击穿电压曲线 |
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| 钳位电压曲线 | 结电容曲线 |
表1 SEUCS2X5V1U相关曲线图
At TA = 25℃ unless otherwise noted
表2 SEUCS2X5V1U电气特性表
应用示例
SEUCS2X5V1U用于保护单条单向数据或信号线，使其免受静电放电（ESD）以及浪涌脉冲造成的损坏。该器件可用于信号相对于地为正极性或负极性的线路上。本器件不适合应用于连接直流电源的线路。
图2 SEUCS2X5V1U应用示例
总结与结论
SEUCS2X5V1U是湖南静芯研发的工作电压为5V电容低至0.42pF的深回扫型静电保护器件，可适用于单向高速数据或信号线的防护，其钳位电压低于5V，可有效提高电路的可靠性。
湖南静芯是业内少有同时具备模拟IC与分立器件研发团队的公司，基于长时间的技术积累，是国内首家为客户提供满足国际标准通讯协议IC(例如：4-20mA、RS485/422/232等)以及完整接口防护器件及方案的公司；也是国内首家提供超高速信号线EMC完整解决方案的公司，详情可以参考：湖南静芯推出Thunderbolt4、5/USB4.0&PD3.0的ESD&EOS防护完整解决方案100W+80G与湖南静芯推出USB4.0&PD3.1的ESD&EOS防护完整解决方案140W&180W+120G等文章。同时静芯的FAE团队可免费为客户提供EMC整改、板级电路优化、器件参数测试等服务。
