湖南静芯推出全新产品SEUCS13F3V4U。SEUCS13F3V4U是一款4路单向超低电容深回扫型ESD保护器件，可直接替代安世PESD3V3X4UHM和PESD3V3X4UHC两款型号，专门设计用于保护多达4条单向或3条双向数据线免受静电放电和浪涌脉冲造成的损害。
参数对比
在评估和选择ESD防护器件时，我们应根据多方面因素进行考虑、通过多个参数进行对比，其中需要重点分析的参数如下。
1.VC(Clamping Voltage):钳位电压是TVS二极管在遭受瞬态过压时，施加在被保护器件上的最高电压。VC值越低，意味着对被保护芯片的电压应力越小。
2.IPP(Peak pulse current):峰值脉冲电流代表了器件能安全泄放的最大瞬态电流。数值越高，意味着遭受雷击感应或电源切换浪涌时，其吸收和泄放瞬间大能量的能力越强。
3.VESD:ESD防护等级是最直接的ESD防护能力指标，拥有更高的测试等级表明该器件能为接口提供更高级别的静电防护。
4.CJ(Junction Capacitance):电容通常与数据线的传输速率相关。对于高速数据线，过大的电容会导致信号失真、边沿变缓、带宽下降；对于电源线或低速信号线，电容要求相对宽松。
表1 参数对比表
根据上表可知，在相同条件下，与PESD3V3X4UHM和PESD3V3X4UHC相比，SEUCS13F3V4U的钳位电压（VC）更低，峰值脉冲电流（IPPM）更高，抗静电放电能力（VESD）更强。SEUCS13F3V4U 能将过压更快、更有效地压制在更低的水平，为核心电路提供更有效的保护，尤其有利于保护那些电压容限更低的现代精密芯片，对系统的防护效果更好。
应用场景
SEUCS13F3V4U是一款4路单向型超低电容深回扫型ESD保护器件，其器件内部包含两个背靠背串联的齐纳二极管，可用于保护多达4条单向或3条双向数据线免受静电放电和浪涌脉冲造成的损害。
应用一：
图1 四线单向保护应用
应用二：
图2 三线双向保护应用
SEUCS13F3V4U介绍
SEUCS13F3V4U是湖南静芯研发的一款超低电容深回扫型ESD静电保护器件，该器件采用DFN1309-6L封装，工作电压为3.3V，钳位电压为3.5V，具有0.7pF的极低电容，可确保信号完整性。根据IEC61000-4-5标准可承受12A(8/20μs)的峰值脉冲电流，根据IEC 61000-4-2 (ESD)规范，可用于提供高达±30kV(接触放电)，±30kV(空气放电)的ESD保护。该器件的相关曲线图及参数如下所示。
该器件的相关曲线图及参数如下所示。
表2 SEUCS13F3V4U相关曲线图
At TA = 25℃unless otherwise noted
表3 SEUCS13F3V4U电气特性表
总结与结论
SEUCS13F3V4U是湖南静芯研发的一款4路单向超低电容深回扫型ESD保护器件，采用特殊DFN1309-6L封装，可直接替代安世PESD3V3X4UHM和PESD3V3X4UHC两款型号，拥有更低钳位电压和更大通流能力的优异性能。我司还提供多款安世替代型号，欢迎客户前来咨询。
湖南静芯ESD器件工作电压涵盖1.0~72V，电流涵盖4~30A，电容最低至0.08pF，封装涵盖CSP、FC及各类封装形式。同时推出22V&33V TDS平缓浪涌抑制器，可用于保护工作电压为20V、24V、28V、36V的系统，具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。结合TDS器件与深回扫ESD优势，湖南静芯是国内首家推出USB4.0完整解决方案的公司，详情可以参考：湖南静芯推出Thunderbolt4、5/USB4.0&PD3.0的ESD&EOS防护完整解决方案100W+80G与“湖南静芯推出USB4.0&PD3.1的ESD&EOS防护完整解决方案140W&180W+80G/120G”等文章。