12月26日——盛密科技经过技术人员的不懈努力，于今日正式发布全新的4SM系列氧气电化学传感器：4SM O2-LF。
该传感器顺利通过了全套严苛的性能验证。我们来看看它的各项性能。
响应曲线
上图是25只4SM O2-LF传感器对空气的响应曲线，可以看出基线稳定，T90≤15s，曲线平稳，回零快。
分辨率
上表是15只4SM O2-LF传感器的测试结果，2倍STDEV≤0.1% VOL O2。
线性
上图为公式处理前。
氧气传感器的输出信号经对数处理后便会呈现极好的线性，所以建议以理论公式y=K*Ln(1/(1-c))处理，下图为公式处理后的线性曲线。
上图是25只4SM O2-LF传感器通入N2气体、5%Vol、10%Vol、20.9%Vol、25%Vol和30%Vol的O2气体的测得结果，在0~30%Vol. O2内线性好，线性判决系数R2为0.9999。
重复性
上图是25只4SM O2-LF传感器分别6次通入空气的输出信号，当输出稳定之后记录输出值，6次的相对标准偏差RSD均小于0.3%，重复性很好。
暴露测试
上图是25只4SM O2-LF传感器通入25%Vol. O2气体30分钟的测试结果，平均变化率在1.5%以内。
交叉干扰
总结
氧气用于在硅片表面生长二氧化硅，是最重要的绝缘层、保护层、介电层。可以在高温下帮助去除硅片表面的杂质与有机物，提高晶圆洁净度。在干法刻蚀或灰化工艺中，氧气用于分解光刻胶、提高刻蚀反应效率，是半导体制造过程中不可或缺的重要原料之一。
盛密科技又新增一种半导体制程可探测的气体种类，填补了产品空白。
来源：盛密科技