作者：电子创新网张国斌
在近期落幕的ICCAD 2025 上，台积电（中国）总经理罗镇球在媒体群访中系统阐述了台积电对未来 AI 的技术判断、中国业务的战略逻辑及技术发展。
这些内容不仅关乎台积电本身，更关乎中国半导体设计公司的未来路径。
罗镇球的核心观点涉及从三个维度：
一、AI 进入第二次大爆发：台积电启动“云—管—端”三线并进
罗镇球的态度非常明确：“AI 会带来另一波整个半导体产业的大爆发。”他认为这场爆发不再是单纯的“更先进制程”，而是完整的 Cloud（云）— Channel/Connection（管）— Edge（端） 三个环节的系统升级。
1）云：先进制程 + 先进封装 = AI 训练中心继续狂飙
AI 云侧需求拉动台积电在两条路上继续加速：
① 工艺路线继续前推：N3 → N2 → A16
他表示台积电已经介绍了先进工艺的发展方向，并在 3纳米技术上进一步推出了 N3E / N3P / N3X 等工艺，以满足不同性能与功耗需求。这是大模型训练、推理中心继续扩容的底层动力。
② 先进封装成为“第二主力战场”
包括：多颗 SoC 的 3D 堆叠、逻辑芯片与 HBM 的直接集成、CoWoS、TSMC-SoIC、InFO 的快速迭代等，他认为未来算力中心的瓶颈正在从“算力片”转向“内存带宽”，也因此台积电把先进封装视为未来 5 年最关键的产能扩张方向。
2）管：硅光子成为 AI 基础设施的加速器
罗镇球在现场特别强调：“管，就是 cloud 和 edge 之间的那条连接，需要用硅光子来拉高速度、降低功耗。”
硅光子将用于数据中心内部：Switch → SerDes → XPU 的高速互连、大规模 GPU 集群之间的光通信。
3）端：特殊工艺 + 超低功耗 + 新型影像计算
相比云端的“大算力”，端侧 AI 的关键是低功耗、集成度与成本。包括三类技术路线：
① 新一代嵌入式存储（eFlash 之后的路线）
台积电已经量产适配 AIOT 的新型 embedded memory，用于 MCU、传感器和轻量 AI 推理芯片。
②超低功耗工艺：电压降低至 0.4V
在 N6/N4 超低功耗平台上：工作电压从 0.8V 下调至 0.4V，漏电进一步下降，专为 AIOT & Edge AI 设计，这是端侧 AI 最大的技术支点。
③ 影像计算（CS/ISP）成为逻辑工艺的新引擎
罗镇球强调：“手机最常用的就是相机功能。”因此影像计算成为逻辑工艺下一阶段创新的重要方向，未来的手机、智能安防、机器人都会从中受益。
二、南京厂能否继续推进工艺？台积电给出解释
外界最担心的问题是：VEU 限制下，南京厂是不是就永远停在 16纳米/28纳米？罗镇球给出了解释。
他强调，台积电目前正在供应商的积极配合下，按部就班地进行“一项一项”的申请，以确保顺利获得原物料和设备的授权许可，南京厂目前没有供应链中断风险。
最关键的是中国客户可以使用更先进技术，并不局限于南京厂的16纳米
罗镇球也在采访中澄清了市场上的一个误区，即“大陆公司只能使用台积电在中国大陆工厂的产能”。他表示，台积电的产能是面向全球客户服务。公司与客户紧密合作在全球范围内调配产能，以满足客户技术及产能的需求。“在合规的情况下，中国客户可以使用更先进技术，并不局限于南京厂的16纳米。”
三、台积电对中国市场的策略：从端侧切入
台积电在中国的营收长期维持在 8%-10%，是一个稳定且重要的市场。面对外部变化，罗镇球也给出台积电的策略。
罗镇球强调，制造工厂的核心竞争力在于基础设施、企业文化、精细度与勤恳度。
他指出台积电会稳定服务现有客户、支持新客户、按照客户预测与供需情况调整产能，这也是台积电长期保持客户关系和建立信任的基础。
目前，中国的手机、IoT和汽车市场拥有巨大的发展空间，成本与迭代速度优势明显。端侧AI的应用包括AI 手机、AI 摄像头与多模态传感、AIOT/MCU、车载 AI 芯片、端侧推理 ASIC，这些领域用16纳米/28纳米也能做出极强竞争力。因此，罗镇球表示，开发端侧产品可以是一个重点方向。
罗镇球的分享呈现了一个清晰的未来--AI 会让半导体进入第二次超级周期。先进制程、先进封装、硅光子、低功耗、特殊工艺将成为底座。可以预见，未来几年，台积电将会持续深入支持中国市场，秉持“客户效率至上”，为中国客户提供卓越支持。
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