芯迈半导体推出40V车规SGT MOSFET,助力新能源汽车BMS高效安全升级

芯迈半导体今日正式推出专为新能源汽车电池系统优化的40V车规级SGT MOSFET——SDA系列

随着纯电动汽车和混动汽车市场的快速发展,锂电池系统正朝着更高能量密度、更轻量化、更智能化的方向演进。在此背景下,电池管理系统(BMS)的安全性与效率成为行业关键挑战。芯迈半导体推出的40V车规级SGT MOSFET——SDA系列,凭借超低导通损耗、超高雪崩能力及卓越热稳定性,为下一代BMS提供更可靠的保护方案。

核心优势:更低换耗,更高可靠性

0.7mΩ超低导通电阻(Rdson)

• 基于芯迈自有12英寸晶圆厂先进工艺,该器件在相同电流下可大幅降低导通损耗,减少BMS系统发热,提升整体能效。

• 相较于行业主流产品,其更低的Rdson可显著优化锂电池的充放电效率,延长续航里程。

400A超高雪崩击穿电流,安全冗余倍增

• 在典型车载应用(0.01mH寄生电感)下,雪崩电流能力突破400A,远超行业标准,确保在过流、短路等极端情况下仍能快速关断,可靠保护电池模组。

• 这一特性尤其适配高功率锂电系统,为BMS提供更强的故障保护能力。

动态均流一致性领先,适配高并联需求

随着电池容量提升,BMS需更多MOSFET并联以支持大电流充放电。该器件通过优化的Vth与Rdson一致性,确保并联工况下的静态与动态均流性能,避免电流失衡导致的局部过热风险。

小型化封装与车规级可靠性

• 采用PDFN5×6紧凑封装,节省PCB面积,契合电池模组轻量化与高集成度趋势。

• 通过AEC-Q101认证及多项严苛可靠性测试,可在-55℃至175℃宽温范围内稳定工作,适应复杂车载环境。

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赋能未来:智能电动汽车提供底层保障

在新能源汽车向更高电压平台、更高能量密度演进的过程中,该新品凭借低损耗、高鲁棒性、优异热管理等特性,不仅满足当前BMS需求,更为800V高压架构、固态电池等未来技术预留性能裕量。其高雪崩能力与均流设计,也将成为智能电动汽车功能安全(ISO 26262)的关键支撑。

关于芯迈

芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司是一家领先的功率半导体公司,采用创新驱动的Fab-Lite集成器件制造商(IDM)业务模式,通过自有工艺技术以及建立的中国和海外双供应链的综合供应体系,向全球客户提供高效的电源管理解决方案,包括电源管理集成电路(IC)和功率器件产品。在电源管理IC领域,公司专注于移动和显示应用中的定制化电源管理IC(PMIC) ,为智能手机行业、显示面板行业及汽车行业的全球领先客户提供全面的一站式电源管理解决方案。作为与客户深度融合的核心供应商,我们在所专注的关键技术领域确立了领先地位。在功率器件领域,公司拥有具有超过20年研发经验的核心团队和涵盖硅基和碳化硅基功率器件的完备产品组合(包括超结MOSFET、屏蔽栅沟槽型MOSFET及碳化硅MOSFET)。公司的功率半导体产品在电机驱动、电池管理系统和通信基站等应用中的市场份额快速增长,并已扩展至汽车、数据中心、AI服务器和机器人等应用领域。公司总部位于杭州,目前已经在大中华区和海外地区建立涵盖研发、供应链和客户网络等多个维度的双生态体系。

来源:芯迈半导体