系列新品介绍
近日，中科海高上架两款低噪声放大器芯片，频率覆盖0.1-42GHz，均采用自偏置供电不需要负电源电压。产品具有超宽带、低功耗等特性，芯片采用境内工艺流片满足国产化应用要求。
低噪声放大器-HGC367B
01 产品介绍
HGC367B是一款基于GaAs工艺的超宽带低噪声放大器芯片。工作频率覆盖0.1-18GHz，小信号增益为16.5dB，输出功率1dB压缩点为16dBm，噪声系数典型值为1.7dB。HGC367B采用+5V自偏置供电，同时兼容低功耗模式，可满足对功耗要求严格的应用场景，采用境内工艺流片，满足国产化应用需求。
02 产品特点
工作频率：0.1 - 18 GHz
噪声系数：1.7 dB
增益：16.5 dB @ 55 mA；16 dB @ 35 mA
P1dB：+16 dBm @ 55 mA；16 dBm @ 35 mA
自偏置供电：+5 V @ 55 mA VG悬空；+5 V @ 35 mA VG接地
输入/输出：50 Ohm匹配
芯片尺寸：1 mm × 0.8 mm × 0.1 mm
03 性能指标
04 测试曲线
增益 VS 温度
回波损耗&反向隔离
噪声系数 VS 温度
输出功率P-1 VS 温度
05 功能框图
06 焊盘描述
07 推荐装配图
低噪声放大器-HGC345B
01 产品介绍
HGC345B是一款宽带低功耗GaAs MMIC低噪声放大器芯片。工作频率覆盖18GHz~42GHz，增益典型值23dB，噪声典型值2dB，5V供电下典型静态工作电流为17mA，输入输出回波损耗均优于10dB，输出功率1dB压缩点6dBm.芯片通过背孔接地。该芯片可广泛应用于雷达、卫星通信、电子对抗等领域，芯片采用境内工艺设计流片，可以满足国产化应用需求。
02 产品特点
工作频率：18 - 42 GHz
噪声系数：2 dB
增益：23 dB
P1dB：+5 dBm
自偏置供电：+5 V @ 17 mA
输入/输出：50 Ohm匹配
芯片尺寸：1.5 mm × 0.8 mm × 0.1 mm
03 性能指标
性能指标（TA = +25℃， VD=+5 V）
04 测试曲线
增益 VS 温度
回波损耗&反向隔离度
噪声系数 VS 温度
输出功率P-1 VS 温度
输出功率Psat VS 温度
OIP3
05 功能框图
06 焊盘描述
07 推荐装配图
来源：中科海高
