碳化硅二极管是一种基于碳化硅材料制造的肖特基器件，其工作原理与硅基肖特基二极管相似，都是利用肖特基结的导电特性来控制电流的流动，但由于其晶体结构与硅有所不同，因此具有更高的电子迁移率和更好的热稳定性。
一、SiC二极管较传统硅基二极管更具明显优势 1. 几乎零反向恢复电流 SiC二极管的反向恢复电流几乎为零，明显优于Si基并且该电流的大小不受正向导通电流、关断速度（di/dt）和结温的影响。 2. 提高开关频率 SiC二极管具备优异的反向恢复特性，可与高频开关器件配合使用，提高开关频率，从而减小系统整体的体积和成本。 3. 较低的正向导通电压 相较于1200V的硅基二极管，SiC二极管采用肖特基结构，具备较低的正向导通电压。 4. 更好的EMI结果 SiC二极管的较小反向恢复电流能够带来更好的EMI性能。 5. 优秀的导热性能 SiC材料拥有更好的导热效果，有利于降低结温，进而提高系统的可靠性。 6. SiC二极管大大降低了升压电路中开关的导通损耗 。 7. 低功耗有助于减小应用中无源器件的尺寸。 8. 极低的QRR/IRRM。 二、SiC 二极管的常规应用场景 三、SiC 二极管推荐选型 为满足市场不断升级的实际需求，江苏海矽美推出多款不同规格和封装形式的SiC功率器件供客户选用。
来源：江苏海矽美
