
作者:电子创新网张国斌
据产业人士透露,持续升级的中东冲突正在迅速传导至全球半导体材料供应链。过去几周,多个关键材料价格出现剧烈波动,其中包括钨、钽、钼等高温金属,以及镓、铟、氦气等化合物半导体核心资源。
这些材料虽然在公众视野中远不如GPU或先进制程晶圆显眼,但在真实的半导体产业结构中,它们却是决定通信、射频和功率器件产业规模的基础资源。
关键高温金属价格翻倍
产业链消息显示,用于化合物半导体设备和高温工艺环境的金属——钨、钽和钼——在最近数周价格已经翻了一倍。
这些材料主要应用于半导体设备核心部件,包括:
MOCVD外延设备反应腔
离子注入设备靶材
溅射沉积靶材
晶圆加热器和高温结构件
由于化合物半导体外延生长温度通常超过1000℃,设备内部大量使用高熔点金属材料。一旦这些材料供应出现波动,GaN、GaAs等器件产线的扩产速度将直接受到影响。
与此同时,一些用于外延生长和晶圆加工的特种化学品价格上涨更为剧烈。供应链人士透露,部分材料价格在短期内上涨两到三倍。
镓价格暴涨背后的结构性问题
更受行业关注的是镓价格的大幅上涨。

镓是砷化镓(GaAs)和氮化镓(GaN)芯片的核心原料。市场数据显示,截至2026年3月初,镓的价格已经达到约2100美元/公斤,较2025年初上涨约123%。
但镓市场的真正问题并不只是价格上涨,而是其供应结构高度特殊。
镓几乎不是独立矿产资源,而是铝精炼过程中的副产品。全球超过90%的镓来自铝土矿提炼过程中的副产提取。
这意味着镓供应并不完全由市场需求决定,而是取决于铝产业的生产规模和能源成本结构。
而当前中东冲突恰恰冲击了这一链条。
由于天然气供应中断,卡塔尔能源公司已经停止部分铝和氦气生产。与此同时,包括巴林铝业以及挪威海德鲁与卡塔尔合资的卡塔尔铝业在内的多家冶炼厂宣布遭遇不可抗力。
这一变化迅速传导至全球金属市场。伦敦金属交易所的铝价已飙升至四年来最高水平,每吨达到3418美元。
铝供应收紧,使得镓副产品产量同步下降,从而进一步推高镓价格。
被忽视的氦气风险
另一条更隐蔽但同样关键的供应链风险来自氦气。自冲突爆发以来,三星电子和SK海力士一直在密切监控氦气库存。根据美国地质调查局数据,卡塔尔氦气产量占全球供应的三分之一以上,是全球最大的氦气出口国之一。
氦气在半导体制造中几乎没有替代品,它被广泛应用于:
EUV光刻设备冷却
等离子刻蚀气体环境
晶圆冷却系统
高精度气体输送系统
更关键的是,氦气生产依附于天然气工业。中东天然气生产一旦受冲突影响,氦气供应也会随之收紧。
磷化铟供应瓶颈
与此同时,另一种关键化合物半导体材料——磷化铟(InP)基板短缺问题也在持续。磷化铟是高速光通信器件的核心材料,被广泛用于:
800G光模块
1.6T光模块
高速激光器
数据中心光互连
产业媒体 DigiTimes 援引供应链人士称,磷化铟基板的短缺在短期内看不到缓解迹象。在AI算力基础设施快速扩张的背景下,光通信需求正在爆炸式增长,这使得InP材料成为AI基础设施的重要瓶颈资源之一。
AI时代正在推高GaN需求
与此同时,一个更深层的产业趋势正在放大镓资源的重要性。
AI数据中心正在推动电源架构从传统12V系统向48V电源架构转变,以提升供电效率并降低电力损耗。
在这一架构下,氮化镓功率器件的优势非常明显:
更高开关频率
更低导通损耗
更小体积
更高效率
因此,GaN正在迅速进入:
AI服务器电源
数据中心电源模块
高功率密度电源系统
随着AI服务器功耗从20kW提升到100kW以上,GaN电源市场可能在未来五年增长数倍。
化合物半导体材料的全球控制格局
从更宏观的产业格局看,化合物半导体材料供应呈现出高度集中化特征:
镓精炼
中国:全球约90%精炼能力
GaAs晶圆
日本企业主导(如住友电工等)
InP晶圆
日本和欧洲企业主导
MOCVD设备
欧洲厂商主导
这种高度集中结构意味着,一旦某一地区出现地缘政治或能源冲击,整个产业链都会迅速产生连锁反应。
半导体供应链正在放弃“极致效率”
在供应链风险上升的背景下,全球半导体厂商已经开始改变过去几十年的供应策略。
多家企业表示正在逐步放弃过去依赖“即时库存(Just-in-Time)”的供应模式,转而建立更高水平的原材料储备,并认证多个供应来源。
多家厂商甚至表示,即使未来材料价格回落,他们也愿意承担库存带来的损失,因为供应安全已经成为优先级最高的目标。
一个正在形成的新风险
从表面上看,这似乎只是一次材料价格波动。但从产业结构来看,它可能揭示了一个更深层的趋势:
随着AI、6G通信和电动车的发展,半导体产业的重心正在从传统硅逻辑芯片,逐渐扩展到化合物半导体体系。
而这一体系的资源供应链,比硅产业链更加集中,也更容易受到地缘政治影响。
在未来几年,镓、铟、氦气以及高纯度特种金属,很可能会像过去的稀土一样,成为影响全球科技产业的重要战略资源。
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