新品介绍
HGC532是一款基于GaAs工艺的无源双平衡混频器芯片。RF/LO工作频率覆盖4-36 GHz，IF频率覆盖DC-7 GHz，下变频损耗典型值为8 dB，LO-RF隔离度为52 dB，RF-IF隔离度为40 dB，LO-IF隔离度为35 dB，输入P-1典型值为12 dBm，输入IP3典型值为21 dBm。芯片通过背孔接地，使用方便简单，在工作频段内变频损耗平坦度良好、隔离度高、杂散抑制性能优异，对本振功率要求较低。芯片采用境内工艺流片，满足国产化应用需求。
产品特点
LO/RF频率范围：4-36 GHz
IF频率范围：DC-7 GHz
变频损耗：8 dB
LO-RF隔离度：52 dB
RF-IF隔离度：40 dB
LO-IF隔离度：35 dB
输入P-1：12 dBm
芯片尺寸：1.5 mm × 1.0 mm × 0.08 mm
性能指标
TA = +25℃, IF = 100 MHz, LO = +15 dBm
测试曲线
下变频损耗（固定IFfreq=0.1GHz）
隔离度
中频带宽(固定LOfreq=8 GHz)
输入P-1
输入IP3
杂散抑制
功能框图
来源：中科海高