2026年11月2日,2026年“中国芯”集成电路产业促进大会在横琴召开,同期发布第二十一届“中国芯”优秀产品评选结果。上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)自主研发的第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET系列产品,凭借突出的技术创新性与产业化成果,荣获“中国芯”优秀技术创新产品奖。瞻芯电子CTO叶忠博士代表公司出席颁奖仪式并登台领奖。

“中国芯” 评选始于2006 年,至今已举办 21 届,是国内集成电路领域最具影响力的行业荣誉评选之一。二十年来汇聚近 20 名院士、200 余名专家参与论证指导,坚持公益定位,持续面向国产芯片开展征集、评估与推广,重点考察参选产品的技术创新性、性能水平与市场表现,是国产芯片创新实力的权威风向标。瞻芯电子此次获奖,标志着其第 3 代碳化硅功率器件在技术先进性、可靠性与规模商用能力上,已获行业高度认可。
获奖产品:第3代SiC MOSFET的硬核实力
本次获奖的第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET系列产品(型号IV3Q12035xxx),依托浙江瞻芯SiC晶圆产线研发,采用平面栅结构,通过紧凑的元胞设计与优化工艺,实现了业界较低的比导通电阻,其同等芯片尺寸的导通电阻更小,开关损耗较前代产品降低30%以上。
产品的突出亮点在于高温工况下,导通电阻具有卓越的稳定性:在175℃高温运行时,导通电阻仅升至常温的1.67倍(15V驱动下低至1.42倍),显著降低器件开关与导通损耗,特别适配新能源汽车、光储、充电桩和 AI数据中心等长期持续重载的严苛场景。同时,器件通过严苛的长时动态反偏(DRB)可靠性验证,可稳定承受150V/ns电压变化冲击,极限耐受dv/dt超200V/ns,具备更高开关频率与极速关断工况下的优异鲁棒性。
车规级品质,千万颗级规模验证
该系列产品按照严格的汽车级可靠性标准设计,并通过超越车规级标准的加严可靠性测试,具有卓越的鲁棒性与稳定性,赢得光伏逆变器、充电桩、车载电源等领域多家头部客户高度认可与批量应用,实现千万颗级别规模交付。
产业里程碑:IDM模式下的规模化落地
作为国内领先的碳化硅IDM公司,瞻芯电子拥有车规级SiC晶圆产线及全套SiC MOSFET工艺技术。截至2026年10月,瞻芯SiC MOSFET累计出货已突破1.5 亿颗,客户覆盖全部主流厂商,并在多个细分市场成为业界领先方案供应商。
叶忠博士感言
“非常感谢主办方和评委会授予瞻芯电子‘中国芯’优秀技术创新产品奖。这份荣誉是对瞻芯第三代SiC MOSFET技术与产业化成果的肯定。瞻芯将持续深耕技术创新,打磨更高性能、更高可靠的SiC器件,为新能源汽车、光储等下游客户提供高性能、高品质、稳定量产的国产碳化硅方案,助力我国第三代半导体产业自立自强。”

关于瞻芯电子
上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海临港。公司致力于开发碳化硅功率器件和模块、驱动和控制芯片产品,并围绕碳化硅(SiC)应用,为客户提供一站式解决方案。
瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET产品以及工艺平台的公司,拥有一座车规级碳化硅(SiC)晶圆厂,标志着瞻芯电子进入中国领先碳化硅(SiC)功率半导体IDM公司行列。
作为国家高新技术企业、国家专精特新“小巨人”企业和上海市企业技术中心,瞻芯电子将持续创新,放眼世界,致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。
上海总部:上海浦东新区 南汇新城镇 海洋四路99弄3号楼8楼
碳化硅(SiC)晶圆厂:浙江省义乌市苏溪镇好派路599号
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来源:瞻芯电子