近日，格科联合上海交通大学集成电路学院完成的 Advanced Deep Trench Isolation（ADTI）技术研究论文成功入选2026 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2026）。论文题为《A 50M 0.64μm Pixel CMOS Image Sensor with Monolithic Homogeneous Integration Using an Advanced Deep Trench Isolation Structure》。
IEDM已有70余年历史，是全球半导体与电子器件领域最具影响力的国际会议之一，也是集中发布半导体器件、制造工艺及相关前沿技术突破的重要平台。
长期以来，IEDM汇聚全球领先半导体企业、高校及科研机构，展示电子器件领域具有前沿性和创新性的研究成果。论文入选IEDM，意味着相关研究成果获得国际顶级器件技术平台的认可，并将与全球产业界和学术界的前沿成果同台交流。
格科董事长兼CEO赵立新表示：“从单芯片高像素到ADTI，格科始终坚持以差异化创新，推动技术进步和产业价值提升。此次论文入选IEDM，是格科长期技术积累和持续创新能力的成果，也表明中国CIS企业正在更加深入地参与全球前沿器件技术的探索与创新。‘让世界看见中国的创新’是格科一直以来的使命，我们希望通过持续的技术投入和创新实践，不断突破关键技术，为客户创造更大价值，也为中国半导体产业的发展贡献格科力量。”
IEDM 2026将于今年12月12日至16日在美国旧金山举行，格科受邀将在会上分享相关研究成果。敬请期待。
来源：格科GalaxyCore
