在安防监控、网络通信等设备中，各类接口（如RJ45网口、BNC视频端口等）常因静电放电（ESD）、雷击浪涌等瞬态过电压而损坏，严重影响系统稳定性和使用寿命。
针对这一痛点，江西萨瑞微电子推出了一款性能优异的TSS系列浪涌保护器件——P0080TB-MC，以其大通流、低残压的卓越特性，成为安防、网通设备端口防护的可靠选择。
01 产品核心优势：大通流、低残压
大通流能力
800A 峰值脉冲电流（10/700μs波形），可抵御强浪涌冲击，满足国内外安规要求。
多次浪涌冲击后性能不衰减，可靠性高，适用于恶劣电磁环境。
低容低残压
残压（Vs）仅为4V（@10mA），有效钳位过电压，避免后级电路受损。
导通电压低，响应速度快，能为敏感电路提供更平顺的保护。
低电容（≤30pF），不影响高速信号完整性。
短路失效模式，过载后仍可提供一定保护，避免开路风险。
符合无铅环保标准（E3级），适合出口与绿色制造。
02 关键电气参数速览
该器件构建了由“预警-击穿-钳位”组成的层层递进的三重动态防护体系，其核心电气参数如下表所示：
参数层级 | 符号 | 测试条件 | 数值 | 单位 |
击穿电压 | (VRWM) | Iᵣ = 5μA | 6 ~ 25 | V |
最大残压 | V | I = 10mA | ≤4 | V |
通流能力 | — | 10/700μs | 800 | A |
保持电流 | I | — | ≥2.2 | mA |
结电容 | Cₒ | 1MHz, 2V偏置 | ≤30 | pF |
工作温度范围：-40℃ ~ +125℃，适用于户外及工业环境。
03 实测性能解析
根据萨瑞微实验室的测试报告，P0080TB-MC在浪涌冲击测试中表现优异：
测试结果：
可通过 4.2KV 浪涌测试（对应峰值电流约 112A）
极限测试在 4.8KV 时产品击穿，仍表现出较高的浪涌耐受能力
残压表现：在 4.2KV 浪涌下，钳位电压仅约 25–26V，展现优异的低残压特性。
结论：该产品可满足绝大多数安防、通信设备的雷击浪涌防护需求，具备高可靠性。
04 典型应用方案推荐
RJ45网口静电浪涌防护方案
用于交换机、路由器、网络摄像机等设备的以太网端口。
P0080TB-MC并联在信号线与地之间，可有效吸收雷击感应、ESD等瞬态干扰，保护PHY芯片不受损。
BNC视频端口静电浪涌防护方案
适用于模拟摄像机、视频采集卡、监控矩阵等视频传输线路。
在BNC接口的信号线与屏蔽层之间接入TSS，可抑制浪涌及静电脉冲，提升视频信号稳定性与设备寿命。
选择萨瑞微，选择可靠
在安防与通信设备日益追求高可靠性与长寿命的今天，端口防护已成为设计中的关键一环。
萨瑞微电子P0080TB-MC TSS器件，凭借其大通流、低残压、高可靠的综合性能，为各类接口提供了一道坚固的“电压防火墙”，是工程师在安防、网通、工控等场景中实现稳健防护的优选器件。
关于萨瑞微电子
萨瑞微电子是一家专业从事半导体分立器件芯片设计、晶圆制造、封装测试与应用服务于一体的IDM模式的国家级高新技术企业。
公司成立于2014年，总部位于江西省南昌市赣江新区，在上海成立研发中心，在深圳成立销售中心，在南昌建立了35000平米制造基地。设有年产200万片4、5、6寸晶圆生产线以及年产300亿只分立器件封装产线。
主营产品包括：MOSFET（超结MOSFET、高压平面MOSFET、中低压沟槽MOSFET、中低压SGT MOSFET、IGBT、SiC MOSFET）；保护器件（ESD、PTVS、PTSS、GDT、Zener）；二三极管（BJT、SKY、Sic肖特基二极管、Switching、BRT数字晶体管、Rectifier、Rectifier bridge、SCR可控硅）；模拟IC（LDO、OVP、锂电保护IC）等器件。
公司的产品广泛应用于通讯、安防、消费类电子、汽车电子、工业电子、医疗、仪器仪表等领域，是国内外一线品牌客户首选供应商。
公司秉承“创新、成长、永续、责任”的经营理念，恪守“质量第一、客户满意；严进严出、绿色环保”的质量方针，成为国内领先的功率半导体与保护器件IDM公司。
来源：江西萨瑞微电子