随着无线通信、卫星信号传输及高频宽带系统对功率器件性能要求的不断提升，氮化镓（GaN）技术正逐步成为高效率、高功率射频解决方案的核心。近日，合肥芯谷微电子正式发布一款GaN MMIC高效率功率放大器芯片——INPA-027035-P44A，面向2.7–3.5GHz频段，致力于为通信与工业应用提供兼具高性能与高可靠性的芯片级解决方案。
产品简介
INPA-027035-P44A基于先进的GaN工艺设计，频率范围覆盖2.7–3.5GHz，具备高增益、高输出功率和高效率的综合特性。该芯片采用背面金属化通孔接地结构，支持连续波（CW）工作模式，适用于各类要求稳定、高效输出的应用场景。
芯片尺寸为3.8 × 2.2 × 0.1 mm，紧凑设计便于系统集成与模块化布局，可帮助客户在有限空间内实现更强的射频性能。
性能特点
频率范围：2.7-3.5GHz
小信号增益：35dB 功率增益：24dB 饱和输出功率：44dBm(CW) 典型附加效率：60% 供电：28V，-2.5V(Typ.) 芯片尺寸：3.8 x 2.2 x 0.1mm
产品技术优势
INPA-027035-P44A在设计中融合了多项实用化技术特点：
高效率与高功率并存：在连续波模式下实现60%典型效率，显著降低系统热耗与功耗负担； 宽带平坦增益：功率增益平坦度达±0.4 dB，确保信号在频段内稳定传输； 强化可靠性设计：支持最高32V漏极电压，内置输入输出隔直电容，简化外部匹配电路； 明确的集成指引：提供完整的键合点定义与外围电容建议，支持客户快速实现系统集成。
应用方向
凭借其优越的频段覆盖与功率表现，INPA-027035-P44A可广泛应用于下列领域：
5G通信基站 卫星通信终端与信号转发 宽带无线接入系统 工业射频能源与检测设备 科研与测试仪器
产品相应参数
INPA-027035-P44A的推出，进一步拓展了合肥芯谷微电子在GaN功率放大器领域的产品矩阵，也为中高频段高功率应用提供了一款性能稳定、易于集成的国产芯片选择。
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