在电子设备持续向小型化、高效率、低功耗方向发展的今天，功率器件已经成为影响系统性能的关键因素之一。尤其在快充电源、DC-DC转换器、便携式设备、通讯模块等应用中，工程师迫切需要一种能够兼顾 低压降、快恢复、低损耗、体积小 的整流器件，以确保系统效率最大化和稳定性提升。
SHIKUES（時科）推出 B5819WS 肖特基二极管，采用 SOD-323G 超小封装设计，具有极低的正向压降(VF)、低功耗、高频特性，以及优异的可靠性，是小型高效电路的理想选择。
PART 01
近年来，消费类电子与工业控制设备广泛采用高频开关电源架构，例如：
USB接口设备与快充电源
电池管理单元（BMU）
DC-DC转换芯片外围电路
IoT智能设备及微电机驱动
通讯模块、电源监控模块
在这些场景中，整流器件必须具备以下能力：
✔ 低 VF（降低能量损耗）
✔ 低反向漏电流（提升电池续航）
✔ 高频工作能力（适配高开关频率）
✔ 小体积（适用于密集型PCB布局）
時科 B5819WS 正是针对这些需求设计的高性能、小封装肖特基解决方案。
PART 02
B5819WS 属于時科 SOD-323G 封装系列肖特基二极管，具备：
低压降
快恢复
低功耗
频率响应快
高稳定性
非常适合便携式电子、电源模块和高速切换电路。
PART 03
项目 | B5819WS |
|---|---|
最大反向电压 VR / VRRM | 40V |
最大正向电流 IF（平均） | 1A |
峰值浪涌电流 IFSM | 20A（8.3ms） |
正向压降 VF（IF=1A） | 0.60V |
正向压降 VF（IF=3A） | 0.90V |
反向电流 IR（VR=40V） | ≤ 5 μA |
结温范围 | -65℃~+150℃ |
封装 | SOD-323G |
这些参数确保 B5819WS 能在高速与中低压电路中长期稳定工作。
PART 04
B5819WS 在 1A 电流下 VF 仅 0.6V，远低于普通整流二极管，可明显减少系统的导通损耗，让：
DC-DC 转换器的效率更高
电池供电设备续航更长
发热更低
尤其适合强调节能的轻量化电子产品。
作为多数载流子器件，肖特基二极管具有极快的开关速度，适用于：
高频整流
反向续流
快速开关保护
与高频MOSFET搭配可显著提升电源效率与动态性能。
IR（VR=40V）低至 微安级，减少：
反向能量损耗
电池静态消耗
电路串扰风险
在温度变化大、负载波动多的环境中稳定性更佳。
封装尺寸仅约：
2.6 × 1.6 mm（典型）
可节省PCB面积超过 60%，适合：
智能穿戴
IoT模块
高密度电源板卡
超薄充电器
提升产品设计灵活度。
B5819WS 完成多项标准试验：
高温反偏（HTRB）
温度循环（TCT）
高温存储
湿热测试
确保在严苛环境下也具备优异寿命表现。
PART 05
用于：
输出整流
二次侧自由续流
高速反向保护
让转换更高效、温升更低。
用于：
USB供电管理
反接保护
过压隔离
满足低损耗、高响应的移动电源需求。
低漏电特性让 B5819WS 在 BMS 中表现稳定，用作：
反向保护
续流通道
隔离路径
缩减待机功耗，延长续航。
用于整流或续流，提高：
光效
稳定性
寿命
尤其适合高频 PWM 驱动。
应用于继电器驱动、马达控制、功率转换小模块等。
PART 06
時科 B5819WS 是一款兼具：
高效率（低 VF）
高响应（快切换）
高可靠（低漏电）
小体积（SOD-323G）
的高性能肖特基二极管，是现代高频、小型化电源和电子设备的理想选择。
未来，SHIKUES將继续以“产品为王，客户至上”为核心理念，为全球客户提供更多高品质半导体器件，让每一款产品都能拥有“良芯”。
来源：時科電子