随着5G通信、卫星通信及雷达系统对高频、高效率功率放大器需求的不断提升，氮化镓（GaN）技术因其高功率密度与优异的热性能，正成为射频前端的关键解决方案。近日，合肥芯谷微电子有限公司推出了一款高效率GaN MMIC功率放大器芯片——INPA-0506-P42A，旨在为5–6GHz频段的高功率应用提供卓越的性能与可靠性。
产品简介
INPA-0506-P42A是一种基于GaN工艺的宽带高功率放大器芯片，频率范围覆盖5~6GHz，功率增益23dB，饱和 输出功率42dBm。该芯片通过背面金属经通孔接地。该芯片支持脉冲和连续波模式。
性能特点
频率范围：5-6GHz
小信号增益：28dB
功率增益：23dB
饱和输出功率：42dBm(10%占空比，1ms 脉宽)
典型附加效率：61%(10%占空比，1ms 脉宽)
供电：28V(10%占空比，1ms 脉宽)，-2.47V(Typ.)
芯片尺寸：2.6 x 2.0 x 0.1mm
产品技术优势
INPA-0506-P42A在设计上兼顾了高效率、高可靠性与易集成性：
高效率性能：在脉冲与连续波模式下均实现61%的典型附加效率，显著降低系统功耗与散热需求； 高耐压设计：最大漏极电压支持至32V，栅极偏压耐受-7V； 优良的热管理：支持脉冲工作（10%占空比），适应高功率脉冲应用； 集成隔直结构：输入输出均内置隔直电容，简化外围电路设计； 明确的装配指南：提供详细的键合点定义与外围电容建议，便于客户快速导入量产。
应用领域广泛
凭借其优异的频率性能、高效率与高可靠性，INPA-0506-P42A可广泛应用于：
军用雷达系统 卫星通信终端 5G基站功率放大 点对点微波传输 电子对抗与侦测系统
产品相应参数
INPA-0506-P42A的发布，进一步丰富了合肥芯谷微电子在GaN射频前端产品线中的布局，也为高频、高效率功率应用提供了又一可靠的国产化解决方案。
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