【新品发布】“响应高通1.2V电平技术变革”：艾为Hyper-Hall™以超低电压、阈值校准重塑磁传感器新体验

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winniewei -- 周二, 11/11/2025 - 09:29

随着高通旗舰平台全面推行 1.2V I/O电平标准，移动设备对低电压、高精度传感器的需求已跃升为行业刚需。传统霍尔开关（Hall Switch）在 3.3V/1.8V 电平兼容性与静态功耗瓶颈上的局限日益凸显——不仅徒增系统设计复杂度，更与终端设备追求的“长效续航”和“空间精简”目标背道而驰。

直面这一技术代际挑战，数模龙头艾为电子的Hyper-Hall ™ X系列霍尔传感器又新增家族成员AW86503EDC。以全电压域自适应1.08V-3.6V 供电为核心突破，并且通过 晶圆级MCC 校准修调 与 温度补偿算法 双引擎驱动，将磁感应阈值一致性压缩至 ±8% 行业新极值，实现磁感应精度跃升，为智能手机、折叠屏转轴、TWS耳机等平台终端，提供兼具“能耗革命”与“设计自由”的磁传感解决方案。

01 产品特点

  • 工作电压：1.08~3.6V

  • 平均功耗：≤1uA

  • 支持单双极型磁场检测

  • Push Pull 输出

  • 支持MCC 磁阈值校准

  • 内置温度补偿算法

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图1 Hyper-Hall Push Pull 架构

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图2 传统Open Drian 架构

针对低压低功耗，长续航应用AW86503EDC 采用了艾为新一代Hyper-Hall Push Pull 架构相比传统Open Drian 架构功耗降低超100倍+以上，并在系统应用中节省一路供电电源。让系统应用更灵活高效。

02 晶圆级MCC阈值校准技术

传统霍尔开关的行业之痛

霍尔元件由半导体材料（如Si 、GaAs）制成 材料纯度、掺杂均匀性及制造工艺直接影响霍尔电势的一致性，另外其载流子浓度、迁移率及电阻率随温度变化显著，材料电学特性非线性偏移都会引起磁学阈值Bop/Brp 的偏移，再加上封装应力等因素交织作用，导致传统霍尔开关阈值一致性难以突破±30%典型离散范围。直接导致设备开合角度波动范围超过±15%——这意味着折叠屏手机、笔记本电脑开合角度一致性差，TWS 耳机误触发等体验硬伤，更可能成为量产良率与售后成本的隐形杀手。

艾为MCC 磁校准技术的破局之力

通过晶圆级MCC（Magnetic Self-Consistent Calibration）校准与温度补偿双引擎驱动，我们将磁感应阈值一致性压缩到±8%的行业新极值，实现三大维度收益升级：

  • 精准操控： 开合角度波动≤5%，赋予折叠屏手机，PC 电脑“每一次开合如丝顺滑” 的旗舰级体验

  • 高可靠性：TWS 耳机开盖识别准确率提升至99.98%，杜绝“开盖无反应”尴尬场景  

  • 成本革命：提升整机量产直通率并降低售后故障，让终端品质与利润实现双赢

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图3 MCC 磁阈值校准技术

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表1 艾为Hall Switch产品推荐

来源：艾为之家