国创中心与辰至半导体签订战略合作协议

8月15日，国家新能源汽车技术创新中心（简称“国创中心”）与北京市辰至半导体科技有限公司（简称“辰至半导体”）在北京经开区签订战略合作协议。辰至半导体董事长、总经理陈斌，董事、副总裁徐琳洁；国创中心党委书记、董事长续超前，副总经理邹广才出席签约仪式。

辰至半导体主要从事高可靠高性能车规芯片及解决方案的研发设计。公司研发团队主要来自国际顶尖芯片设计企业，核心团队均拥有超过20年的研发经验，以及多颗汽车、手机大芯片明星产品的成功研发量产案例，是国内稀缺的覆盖“车规芯片设计-系统集成-软件开发-测试认证”全流程、成建制团队。公司主要产品C1系列作为中央域控制器及区域控制器主控SoC芯片，覆盖智能网联汽车全车身域控架构，填补国内空白。该芯片可实现高速多协议网络数据处理，满足车规ASIL-D级功能安全要求，为智能汽车打造兼具高带宽、高算力、低时延、强扩展性的数字中枢，并可充分满足信息安全、具身机器人等领域的高端应用需求。

签约前，双方领导分别介绍了各自领域的优势、特点及发展成果，并充分肯定了双方当前的合作成效。下一步，双方以此次签约为契机，基于整车用户使用场景，在高性能域控芯片及解决方案研发领域深入开展合作，早日实现成果智能网联多场景的落地，为推动芯片国产化应用和产业创新发展贡献力量。