Kioxia推出面向汽车应用的UFS 4.1版本嵌入式闪存设备样品

以更高性能、更高效数据处理及车规级可靠性驱动下一代汽车创新

全球存储解决方案领军企业Kioxia Corporation今日宣布，已开始提供面向汽车应用的全新通用闪存存储(2) (UFS) 4.1版本嵌入式存储设备样品(1)。这些新设备专为满足下一代车载系统的严苛需求而设计，凭借Kioxia第8代BiCS FLASH™ 3D闪存及自研控制器技术，在性能、灵活性和诊断功能方面实现显著提升。

面向汽车应用的UFS 4.1版本嵌入式闪存设备

新款UFS 4.1设备提供128GB、256GB、512GB和1TB多种容量选择，旨在满足信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)、车载远程信息处理、域控制器及车载计算机等场景的需求。产品符合AEC-Q100/104(3) Grade 2标准，支持最高115°C的外壳温度。

相较于Kioxia的UFS 3.1代产品(4)，新款UFS 4.1 (512GB)设备的性能提升如下：

• 连续读取性能约提升2.1倍

• 连续写入性能约提升2.5倍

• 随机读取性能约提升2.1倍

• 随机写入性能约提升3.7倍

这些改进将为数据密集型车载环境带来更流畅的用户体验。

核心特性包括：

• 符合UFS 4.1规范，包括与WriteBooster相关的扩展功能（如WriteBooster缓冲区调整和固定部分刷新模式），为优化性能提供更高灵活性。UFS 4.1向后兼容UFS 4.0和UFS 3.1。

• 增强的诊断能力，新增厂商特定的设备健康描述符，简化设备状态监控和预测性维护。

• 采用第8代BiCS FLASH™ 3D闪存。

Kioxia的UFS 4.1设备在JEDEC标准封装中集成了公司创新的BiCS FLASH™ 3D闪存和控制器。这些全新UFS设备采用Kioxia第8代BiCS FLASH™ 3D闪存打造。该代产品引入了CBA（CMOS直接键合至阵列）技术——这一架构创新标志着闪存设计的重大飞跃。通过将CMOS电路直接键合至存储阵列，CBA技术大幅提升了能效、性能和存储密度。

*在每次提及Kioxia产品时：产品密度是根据产品内部存储芯片的密度确定的，而非最终用户可用于数据存储的内存容量。由于存在冗余数据区、格式化、坏块及其他限制，消费者可使用的容量会更少，且可能因主机设备和应用程序的不同而有所差异。详情请参考相关产品规格。1 KB定义为2^10字节=1,024字节。1 Gb定义为2^30比特=1,073,741,824比特。1 GB定义为2^30字节=1,073,741,824字节。1 Tb=2^40比特=1,099,511,627,776比特。1 TB=2^40字节=1,099,511,627,776字节。
*MB/s的计算标准为1,000,000字节/秒。
*读写速度为Kioxia Corporation在特定测试环境下获得的最佳值，Kioxia Corporation不对单个设备的读写速度作出保证。实际读写速度可能因所用设备及读写文件大小而异。

*公司名称、产品名称和服务名称可能第三方公司的商标。

关于Kioxia
Kioxia是全球存储器解决方案领域的领军企业，致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从1987年发明NAND闪存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择，并为社会创造基于存储技术的价值，从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域（包括高级智能手机、PC、SSD、汽车系统、数据中心和生成式AI系统）的未来。

客户垂询：
Kioxia Corporation
全球销售办事处
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

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