随着SiC产业的迅猛发展，衬底技术的突破与大尺寸化进程正在重塑全球市场格局。5月12日，晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司（以下简称“浙江晶瑞SuperSiC”）实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长技术突破，首颗12英寸SiC晶体成功出炉——晶体直径达到309mm，质量完好。这不仅标志着晶盛机电在SiC领域实现了6-12英寸全尺寸长晶技术的自主可控，更为我国SiC产业链的自主化发展提供了强有力的技术支撑。
■ 首颗12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶
SiC作为第三代半导体材料的代表，具有高禁带宽度、高硬度和耐磨性、高热导率等优异特性，是制造高压、高温、高频功率器件的理想材料。但大尺寸SiC晶体的制备一直是全球技术难题，此前行业主流量产尺寸仍为6-8英寸衬底。浙江晶瑞SuperSiC基于自主研发的SiC单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年的技术攻关，创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，成功攻克12英寸SiC晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的重要突破。
■ 首颗12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶
浙江晶瑞SuperSiC此次成功研制出12英寸SiC晶体，大幅度提升晶圆的有效可用面积，快速降低芯片单位成本，是晶盛机电正式迈入超大尺寸SiC衬底新时代的重要标志，将进一步加速我国SiC产业链的完善，为国产SiC材料在新能源汽车、光伏储能、智能电网、5G及AI/AR智能眼镜等行业的快速规模化应用提供可能。
浙江晶瑞SuperSiC作为晶盛机电子公司，始终专注于碳化硅和蓝宝石抛光片等化合物半导体材料的研发与生产。目前，公司自主研发的8英寸碳化硅衬底已实现批量生产。
■ 8英寸碳化硅衬底量产
晶盛机电此次12英寸导电型SiC晶体的成功突破，不仅是公司研发实力的有力证明，更是我国半导体产业在关键基础材料领域实现从“追赶者”转向“领跑”的重要推手。晶盛将继续坚持“先进材料，先进装备”的发展战略，以自主创新为内核、以产业协同为纽带、以绿色发展为坐标，在化合物半导体材料领域持续发力，助力我国半导体产业向全球价值链高端跃迁。
来源：晶盛机电
