我公司新推出一款0.3GHz~9GHz 超宽带双向放大器芯片HMF031，芯片内部集成开关和低噪声放大器，开关采用 0/-5V控制工作状态切换，低噪声放大器采用单电源供电，典型工作电压为VD=+5V。芯片的接收和发射两种工作状态下性能指标基本一致，1dB压缩点输出功率典型值为 14dBm，噪声系数典型值为3.5dB。
该芯片采用境内国产工艺制造，能够满足国产化需求。
性能特点
典型测试曲线
参考电路
使用说明：
1、芯片优先采用金锡烧结，确保散热和接地良好；
2、射频端口采用2根直径为25μm的金丝键合，建议金丝长度400μm~600μm；
3、直流供电采用单偏置供电，采用1000pF芯片滤波电容和10μF陶瓷滤波电容。
外形尺寸及真值表
来源：浩瀚芯光
