氮化镓(GaN)产品让消费电子、工业和汽车系统更高效、更紧凑
意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。
该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外，3nC和5.4nC的总栅极电荷和低寄生电容确保晶体管具有最小的导通/关断能量损耗。开尔文源极引脚可以优化栅极驱动。除了减小电源和适配器的尺寸和重量外，两款新GaN晶体管还能实现更高的能效、更低的工作温度和更长的使用寿命。
在接下来的几个月里，意法半导体将推出新款PowerGaN产品，即车规器件，以及更多的功率封装形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。
意法半导体的G-HEMT器件将加速功率转换系统向GaN宽带隙技术过渡。GaN晶体管的击穿电压和导通电阻RDS(on)与硅基晶体管相同，而总栅极电荷和寄生电容更低，且无反向恢复电荷。这些特性提高了晶体管的能效和开关性能，可以用更小的无源器件实现更高的开关频率，提高功率密度。因此应用设备可以变得更小，性能更高。未来，GaN还有望实现新的功率转换拓扑结构，进一步提高能效，并降低功耗。
意法半导体PowerGaN分立器件的产能充足，能够支持客户快速量产需求。SGT120R65AL 和SGT65R65AL现已上市，采用PowerFLAT 5x6 HV封装。
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