11月4日，苏州东微半导体股份有限公司（以下简称“东微半导”）科创板IPO过会，去年，东微半导就获得了华为哈勃的战略投资，持股数为333.08万股，持股比例为6.59%。
据悉，东微半导本次拟公开发行股数不超过1684.4092万股，公开发行的新股不低于本次发行后总股本的25%，欲募资9.39亿元，本次募集资金投资项目包括“超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目”、 “新结构功率器件研发及产业化项目”、“研发工程中心建设项目”及“科技与发展 储备资金”。
Source：东微半导公告截图
据官网资料显示，这家由两位英飞凌同事创立并实控的公司成立已13年，是一家技术驱动型的国产功率半导体厂商。
公司主要有高压GreenMOS系列、中低压SGTMOS系列、IGBT系列三大系列产品，广泛应用于快速充电器、充电桩应用、开关电源、直流电机驱动、光伏逆变器。
2016年东微半导体自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产，打破国外厂商垄断。
超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目
总投资 20,414.58 万元，是基于公司深槽超级结技术以及屏蔽栅技术的丰富积累，对高压超级结 MOSFET 产品及中低压屏蔽栅 MOSFET 产品的设计及工艺技术等方面进行改进和提升。
其中，高压超级结 MOSFET 产品升级具体包括 8 英寸第三代超级结 MOSFET 产品及 12 英寸先进工艺超级结 MOSFET 产品的设计及工艺技术提升；中低压屏蔽栅 MOSFET 产品升级具体包括第三代高速屏蔽栅中低压 MOSFET 及高鲁棒性中低压 MOSFET 产品的涉及工艺技术提升。
新结构功率器件研发及产业化项目
项目总投资 10,770.32 万元，公司拟在未来三年陆续推出高速率 IGBT、超级硅 MOSFET 以及新一代高速大电流功率器件产品。
前述产品可广泛应用于 5G 基站、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变器等细分领域。
研发工程中心建设项目
投资 16,984.20 万元，公司将围绕 SiC 器件、新型硅基高压功率器件方向进行产品技术的创新研发，开发新的技术方案，增加功率器件失效性和可靠性的固定资产投入，优化实验环境，提升测试效率，进一步保障产品质量。
公司计划在超薄晶圆背面加工技术和高功率密度芯片及模块封装技术方向进行持续研发投入，提高工艺技术，进一步提升产品性能。
来源：拓墣产业研究
